Kürzlich machten Berichte die Runde, nach denen iPhone-6-Anwender, die ein Modell mit 128 GB Speicher besitzen, unter Stabilitätsproblemen zu leiden haben. Einem Bericht aus Südkorea zufolge soll Apple das Problem jetzt umgehen, indem ein anderer NAND-Speicher verwendet wird – was im Wesentlichen die Spekulationen um die Ursache bestätigen würde.
Besitzer eines iPhone 6 oder iPhone 6 Plus mit 128 GB Speicher beklagen seit Kurzem Abstürze, die bis zur Unbenutzbarkeit führen können bei ihrem Smartphone. Spekuliert wurde darüber, ob der Flash-Speicher bzw. dessen Controller möglicherweise Schuld an den Problemen sein könnte.
BusinessKorea hat nun einen Bericht veröffentlicht, nach dem Apple angeblich wieder bewährten Speicher verwenden soll, der auf den Namen MLC-NAND-Flash hört (MLC für Multi-Level-Cell). Seit dem iPhone 6 wurde TLC-NAND-Flash (TLC für Triple-Level-Cell) eingesetzt. Der schuldige Speicher soll von Anobit produziert worden sein, ein Hersteller, den Apple 2011 übernommen hat. Angeblich sollen iPhone 6 und iPhone 6 Plus in 64 GB oder 128 GB wieder mit bewährten Chips hergestellt werden.
BusinessKorea erklärt weiterhin, wo der Unterschied in den verschiedenen Speicher-Technologien liegt. Demnach können TLC-NAND-Zellen 3 Bit pro Zelle speichern, während MLC-NAND-Zellen 2 Bit pro Zelle speichern können. Dadurch ergibt sich eine höhere Datendichte bei TLC, was mehr Kapazität bei gleichem Platzbedarf ermöglicht. Außerdem ist TLC günstiger, dafür aber auch langsamer beim Lesen oder Schreiben.
Na super, langsameren Speicher in ein Produkt mit immer aufwendigeren Softwaren. Apple muss mal schnell die Strategie überdenken. Sonst wird das nächste Iphone ein Flop!